лекции по физике, на которых мы, вообщето довольно «хулиганистый» класс, 
никогда не шалили, потому что Яков Борисович, влюбленный в физику, умел 
передать это отношение к своему предмету нам. На его уроках было слышно, как 
муха пролетит. Он не мог воспринять, что физикой можно не интересоваться и не 
любить! Он и порекомендовал мне ехать учиться в Ленинград.
      Я, пораженный его рассказом о работе катодного осциллографа и принципах 
радиолокации, поехал учиться по его совету в Ленинград в Электротехнический 
институт (ЛЭТИ).
      В ЛЭТИ, институте, сыгравшем выдающуюся роль в развитии отечественной 
электроники и радиотехники и в образовании в этих областях, мне очень повезло с 
моим первым научным руководителем. На третьем курсе, считая, что математика и 
теоретические дисциплины мне даются легко, а «руками» мне нужно многому учиться,
 я пошел работать в вакуумную лабораторию профессора Б.П. Козырева. Там я начал 
экспериментальную работу под руководством Наталии Николаевны Созиной, увы, уже 
покойной ныне – человека редкой доброты, незадолго до этого защитившей 
диссертацию по исследованию полупроводниковых фотоприемников в инфракрасной 
области спектра. Так, в 1950 году, полвека тому назад, полупроводники стали 
главным делом моей жизни.
      И диплом я делал у нее. Во время выполнения дипломной работы, посвященной 
получению пленок и исследованию фотопроводимости теллурида висмута, в декабре 
1952 года проходило распределение, и Наталия Николаевна очень хотела, чтобы я 
остался в ЛЭТИ на кафедре для совместной работы. Но я мечтал о Физтехе, 
институте Абрама Федоровича Иоффе, монография которого «Основные представления 
современной физики» стала для меня настольной книгой. В ЛЭТИ на наш факультет 
пришло три вакансии в ЛФТИ – тогдашняя аббревиатура Физикотехнического 
института, – и одна из них досталась мне. Радости моей не было границ. И я 
думаю, что моя счастливая жизнь в науке была предопределена этим 
распределением».
      5 марта 1953 года Алфёров создал первый транзистор, а в 1961 году защитил 
кандидатскую диссертацию, посвященную в основном разработке и исследованию 
мощных германиевых и частично кремниевых выпрямителей. На основе этих работ 
возникла отечественная силовая полупроводниковая электроника.
      «Общие новые принципы управления электронными и световыми потоками в 
гетероструктурах (электронное и оптическое ограничения и особенности инжекции) 
я сформулировал лишь в 1966 году и, чтобы избежать засекречивания, в названии 
статьи говорил прежде всего о выпрямителях, а не о лазерах, – вспоминает Жорес 
Иванович. – В начале наших исследований гетероструктур мне не раз приходилось 
убеждать моих молодых коллег, теперь уже сотрудников моей лаборатории (в 1967 
году я был избран ученым советом ЛФТИ заведующим сектором), что мы далеко не 
единственные в мире, кто занялся очевидным и естественным для природы делом: 
полупроводниковые физика и электроника будут развиваться на основе гетеро, а 
не гомоструктур. Но, уже начиная с 1968 года, реально началось очень жесткое 
соревнование, прежде всего с тремя лабораториями крупнейших американских фирм – 
Bell Telephone, IBM и RCA.
      В 1968–1969 гг. были практически реализованы все основные идеи управления 
электронными и световыми потоками в классических гетероструктурах на основе 
системы арсенид галлия – арсенид алюминия. Помимо принципиально важных 
фундаментальных результатов – односторонняя эффективная инжекция, эффект 
«сверхинжекции», диагональное туннелирование, электронное и оптическое 
ограничения в двойной гетероструктуре, ставшей вскоре основным элементом 
исследований низкоразмерного электронного газа в полупроводниках – удалось 
практически реализовать основные преимущества использования гетероструктур в 
полупроводниковых приборах: лазерах, светодиодах, солнечных батареях, 
динисторах и транзиторах… Важнейшим было, конечно, создание низкопороговых, 
работающих при комнатной температуре лазеров на предложенной нами еще в 1963 
году двойной гетерострутуре (ДГС). Подход, реализованный Панишем и Хаяси на 
Bell Telephone и Кресселем на RCA, был значительно более узким и основывался на 
использовании в лазерах одиночной гетероструктуры pAlGaAspGaAs. Очевидно, они 
не верили в возможность получения эффективной инжекции в гетеропереходах и, 
хотя потенциальные преимущества ДГС были известны, не рискнули на ее реализацию.

      Солнечные батареи на основе гетероструктур были созданы нами уже в 1970 
году. А когда американцы публиковали первые работы, наши батареи уже летали на 
спутниках и было развернуто их промышленное производство. Блестяще доказано их 
преимущество в космосе многолетней эксплуатацией на орбитальной станции «Мир»…
      Но это была очень тяжелая дорога. Поначалу у меня было одиндва человека 
тех, кто со мной работали. Были ситуации, когда мы шли в тупиковом направлении. 
Мой аспирант будил меня в пять утра и говорил: ты заставляешь нас заниматься 
безнадежным делом. Твой папа старый большевик, и ты действуешь такими же 
методами – толкаешь, как он в революцию, нас в эти гетеропереходы! Но потом 
оказалось, что мы правы».
      «За исследование полупроводниковых гетероструктур, лазерные диоды и 
сверхбыстрые транзисторы» Алфёров был удостоен Нобелевской премии по физике за 
2000 год.
      Исследования в этой области привели Алфёрова сначала к системам с 
низкоразмерным электронным газом – так называемым квантовым ямам, потом – 
квантовым проволокам, сейчас же ученый занимается квантовыми точками. Уже 
найден способ создания ансамблей таких квантовых точек в процессе выращивания 
гетероструктур. Это дает огромные преимущества для лазеров, в частности, резко 
возрастает возможный коэффициент усиления. Поэтому в сравнительно небольшом